低功耗 SRAM 感测放大器
一项有文档依据的 StrongARM、Double-tail 与 Preamp-assisted StrongARM 小摆幅 SRAM 感测研究。
我的职责
报告中该核心感测放大器研究、测试平台、仿真与比较的作者和设计者。
项目图像
测量结果
StrongARM 蒙特卡洛判决良率99.8% / 95.0% / 71.8%DVBL 50 / 30 / 10 mV；500 个样本；错误数 = 0
PA4 蒙特卡洛判决良率98.8% / 30 mVVDD 0.8 V；POL=1；500 个样本；错误数 = 0
StrongARM PVT 工作点0.7 V / 50 mV基线最终尺寸；已检查工艺角
PA4 在 10 mV 下的标称结果270.1 ps / 13.72 fJVDD 0.8 V；POL=1；蒙特卡洛良率 59.6%
设计目标
- 对 StrongARM 进行 nominal、VDD、PVT 和 Monte-Carlo 特性分析。
- 把 Double-tail 作为次要方向，记录其未被选为主拓扑的原因。
- 设计和优化带 NAND SR-latch 的 Preamp-assisted StrongARM，并区分 nominal 与 robustness。
实现方法
使用 Cadence Virtuoso/ADE、Spectre 与 GPDK45nm 进行 schematic-level 研究。BL/BLB 在接近 VDD 的位置，通过小 DVBL 建模，并区分 nominal、PVT 和 500 样本失配 yield。
范围与局限
这是使用理想化 bitline source 的 schematic-level 核心感测放大器研究。PA4 最终尺寸尚无完整的 PVT 重测，10 mV Monte Carlo yield 为 59.6%；不宣称完整 SRAM 阵列或版图提取结果。