Low-Power SRAM Sense Amplifier
Nghiên cứu có báo cáo về StrongARM, Double-tail và Preamp-assisted StrongARM trong bài toán sensing SRAM small-swing.
Vai trò của tôi
Tác giả và người thực hiện core sense amplifier, testbench, mô phỏng và so sánh trong báo cáo.
Hình ảnh dự án
Kết quả đo
MC decision yield StrongARM99.8% / 95.0% / 71.8%DVBL 50 / 30 / 10 mV; 500 mẫu; lỗi = 0
MC decision yield PA498.8% / 30 mVVDD 0.8 V; POL=1; 500 mẫu; lỗi = 0
Điểm PVT StrongARM0.7 V / 50 mVSizing cuối của mạch nền; đã kiểm tra các corner
PA4 danh định ở 10 mV270.1 ps / 13.72 fJVDD 0.8 V; POL=1; MC yield 59.6%
Mục tiêu thiết kế
- Characterize StrongARM bằng nominal, VDD, PVT và Monte-Carlo.
- Khảo sát Double-tail như hướng phụ và ghi lại lý do không chọn làm topology chính.
- Phát triển, sizing Preamp-assisted StrongARM với NAND SR-latch và tách nominal khỏi robustness.
Cách triển khai
Dùng Cadence Virtuoso/ADE, Spectre và GPDK45nm ở mức schematic. BL/BLB được mô hình gần VDD với DVBL nhỏ; báo cáo tách rõ nominal, PVT và yield mismatch 500 mẫu.
Phạm vi và giới hạn
Đây là nghiên cứu core sense amplifier mức schematic với bitline source lý tưởng. Sizing PA4 final chưa có PVT rerun đầy đủ và MC yield ở 10 mV là 59.6%; không claim SRAM array đầy đủ hay layout extraction.